Sabendo que o diodo entra em condução com 0.8V e que Vab é a tensão entre os pontos “a” e “b”, analise o circuito representado na figura ao lado.
Em relação esse circuito, é correto afirmar:
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.
Considere, abaixo, a representação de um optoacoplador típico.
Para que o ponto Vs do optoacoplador apresente nível próximo de zero volts quando uma corrente alta circular no diodo da entrada, a configuração do circuito da saída deverá ser:
Considere, abaixo, o circuito de acionamento de carga baseado em SCR ideal.
Sabendo-se que Vg = 12 V; Ig (corrente de gatilho) = 100 mA; Vgk (máxima tensão de gatilho) = 2 V, o valor de Rg para possibilitar o disparo do SCR é, em Ω,