Questões de Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica (Engenharia Eletrônica)

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de São Paulo (IF-SP) - Professor EBTT Eletrônica - IF-SP (2024)

Em dispositivos semicondutores, o entendimento da junção PN é fundamental para estudo de diodos e muitos tipos de transistores, influenciando diretamente o seu funcionamento, desde a retificação até a amplificação. Em laboratórios de pesquisa e desenvolvimento, entender como uma junção PN responde sob diferentes condições de tensão é crucial para o design de circuitos mais eficientes e robustos.

Quando uma tensão reversa é aplicada a uma junção PN, qual é o efeito observado na junção?

A A largura da região de depleção aumenta, reduzindo a corrente de fuga.
B A largura da região de depleção diminui, aumentando a corrente de fuga.
C A largura da região de depleção aumenta, aumentando a corrente de fuga.
D A largura da região de depleção diminui, reduzindo a corrente de fuga.

Engenharia Eletrônica Amplificadores em Engenharia Eletrônica | Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Instituto Federal Norte de Minas Gerais (IFN-MG) - Professor EBTT - Engenharia Elétrica - Instituto Verbena - Universidade Federal de Goiás (2024)

Uma configuração recorrente em estágios finais de amplificação, seja do tipo A, B ou AB, é a configuração coletor-comum, pois apresenta ganho de corrente

A unitário, ganho de tensão elevado e baixa resistência de saída.
B unitário, ganho de tensão baixo e alta resistência de saída.
C elevado, ganho de tensão unitário e baixa resistência de saída.
D elevado, ganho de tensão unitário e alta resistência de saída.
E elevado, ganho de tensão elevado e baixa resistência de saída.

Engenharia Eletrônica Diodo na Engenharia Eletrônica | Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Instituto Federal Norte de Minas Gerais (IFN-MG) - Professor EBTT - Engenharia Elétrica - Instituto Verbena - Universidade Federal de Goiás (2024)

Muito além da diferença de encapsulamento, os diodos de potência e retificação, quando comparados aos diodos comuns, apresentam

A maior corrente de saturação (IS), maior tensão de condução direta e maior tensão de ruptura reversa.
B maior corrente de saturação (IS), maior tensão de condução direta e menor tensão de ruptura reversa.
C menor corrente de saturação (IS), menor tensão de condução direta e maior tensão de ruptura reversa.
D menor corrente de saturação (IS), menor tensão de condução direta e menor tensão de ruptura reversa.
E maior corrente de saturação (IS), menor tensão de condução direta e menor tensão de ruptura reversa.

Engenharia Eletrônica Transistor | Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites - FGV (2024)

Os semicondutores são a matéria prima dos dispositivos eletrônicos, como diodos, TBJ, MOSFET, entre outros.

Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.

A Os semicondutores puros são bons condutores de eletricidade em temperatura ambiente (23C).
B A dopagem de semicondutores com impurezas das famílias 3A ou 5A da tabela periódica reduz a condutividade elétrica.
C Um material do tipo p pode ser obtido a partir da inserção de impurezas da família 3A da tabela periódica em um semicondutor puro.
D Em semicondutores do tipo n há a prevalência de “buracos” como portadores de carga.
E Ao se juntar um material do tipo p com um do tipo n é formada uma região de depleção, na qual o campo elétrico é nulo.

Engenharia Eletrônica Amplificadores em Engenharia Eletrônica | Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites - FGV (2024)

Ao projetar um circuito utilizando um amplificador operacional, o engenheiro responsável utilizou um potenciômetro para compensar o efeito da tensão de offset (desequilíbrio) da entrada do amplificador operacional.

Esse ajuste tem por finalidade

A compensar o efeito da resistência de saída não nula do amplificador operacional.
B reduzir a sensibilidade do amplificador operacional à variação da temperatura.
C aumentar a resistência de entrada do amplificador operacional.
D amenizar a diminuição do ganho de tensão do amplificador operacional devido à sua largura de banda finita numa faixa de frequência de interesse.
E minimizar o erro da tensão de saída devido ao desbalanceamento do estágio diferencial da entrada do amplificador operacional.