Questões de Transistor (Engenharia Eletrônica)

Engenharia Eletrônica Transistor | Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites - FGV (2024)

Os semicondutores são a matéria prima dos dispositivos eletrônicos, como diodos, TBJ, MOSFET, entre outros.

Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.

A Os semicondutores puros são bons condutores de eletricidade em temperatura ambiente (23C).
B A dopagem de semicondutores com impurezas das famílias 3A ou 5A da tabela periódica reduz a condutividade elétrica.
C Um material do tipo p pode ser obtido a partir da inserção de impurezas da família 3A da tabela periódica em um semicondutor puro.
D Em semicondutores do tipo n há a prevalência de “buracos” como portadores de carga.
E Ao se juntar um material do tipo p com um do tipo n é formada uma região de depleção, na qual o campo elétrico é nulo.

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Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites - FGV (2024)

Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis, que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações.

Sobre os regimes de operação dos TBJ, assinale a afirmativa correta.

A o transistor está no modo ativo quando a junção emissor-base está polarizada diretamente e a junção coletor-base está polarizada inversamente.
B no modo corte não há corrente que flui entre o emissor e o coletor, porém pode haver um valor considerável de corrente pela junção emissor-base.
C no modo saturação a corrente que flui na junção emissor-coletor é aproximadamente proporcional à corrente que passa pela junção emissor-base.
D para realizar a amplificação de sinais, os transistores são geralmente polarizados para operarem no modo de saturação.
E quando a junção emissor-base está polarizada inversamente e a junção coletor-base está polarizada diretamente o transistor está no modo saturação.

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Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites - FGV (2024)

Os MOSFET são, possivelmente, os transistores mais empregados atualmente. Sejam como chaves em circuitos de potência, na confecção dos circuitos integrados da família CMOS, como amplificadores ou em alguma das suas outras aplicações, eles marcam importante presença na nossa vida cotidiana.

Sobre esse importante componente eletrônico, é correto afirmar que o MOSFET,

A para ser empregado como amplificador, deve operar no modo saturação.
B na região de tríodo, comporta-se como um capacitor controlado por tensão.
C quando empregado como chave, opera preferencialmente nas regiões de corte e de saturação.
D quando operando na região de tríodo, a corrente entre os terminais dreno e fonte é proporcional à corrente entre os terminais gate (portão) e fonte.
E quando o terminal de gate (portão) não está polarizado, opera na região de saturação, apresentando baixa resistência entre os terminais dreno e fonte.

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Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites - FGV (2024)

Ao selecionar um MOSFET de potência para atuar como chave em um circuito, deve-se atentar para que seus parâmetros garantam o funcionamento desejado e minimizem a dissipação de energia no transistor.

Em relação aos parâmetros dos MOSFET de potência na situação acima mencionada, assinale a afirmativa correta.

A As perdas devido aos tempos de comutação só são relevantes na transição de atuação do MOSFET como chave fechada para atuação como chave aberta.
B A carga total de gate (Qg) influencia diretamente à dissipação de energia durante o tempo em que o MOSFET está atuando como uma chave fechada.
C Quanto maior a capacitância de saída (Coss), menor são as perdas por comutação.
D A tensão de bloqueio (VDS(max)) afeta diretamente a eficiência energética do MOSFET.
E A tensão de limiar (VGS(th)) não afeta consideravelmente a eficiência energética do MOSFET.

Engenharia Eletrônica Transistor | Amplificadores em Engenharia Eletrônica | Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Instrumentação Científica para Projetos Espaciais - FGV (2024)

Sobre os amplificadores usados em aplicações de RF, sabe-se que são divididos nas classes A, B, AB e C, de acordo com a porção do sinal de entrada que coloca os transistores do amplificador em condução.

Considerando um amplificador da classe C, seu ângulo de condução

A está entre 0 e 180 graus.
B está entre 180 e 360 graus.
C é de, exatamente, 360 graus.
D é de, exatamente, 270 graus.
E é de, exatamente, 180 graus.