Questões de Transistor (Eletroeletrônica)

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A função ambiguidade é uma importante ferramenta para analisar o desempenho de diferentes formas de onda utilizada em radares. É uma transformação bilinear que permite a análise no domínio tempo-frequência de sinais não-estacionários no domínio do tempo. Com relação à função ambiguidade, analise as afirmativas a seguir.

I. A função ambiguidade é uma função linear.
II. O máximo da função ambiguidade sempre ocorre quando a frequência Doppler é nula e na posição real do alvo.
III. A função ambiguidade é par.

Está correto o que se afirma em

  • A I, apenas.
  • B II, apenas.
  • C I e II, apenas.
  • D II e III, apenas.
  • E I e III, apenas.

Qual é a região mais fortemente dopada na estrutura de um transistor de junção bipolar (TJB)?

  • A Alfa.
  • B Base.
  • C Coletor.
  • D Emissor.

Considere o seguinte arranjo de transistores:
Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas De forma analítica, o ganho total da corrente de coletor Ic em relação a corrente de base Ib é dado po

  • A β1 x β2
  • B β1 + β2
  • C β1 - β2
  • D (β1 x β2) + β1 + β2
  • E (β1 x β2) + β1 - β2

Considere a seguinte resposta gráfica das curvas características do transistor conectado conforme o circuito: Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas Sabendo que a reta que se estende do ponto Y ao ponto X é a reta de carga do transistor no arranjo, os pontos Y e X são dados respectivamente por:

  • A Vcc/Rc e Vcc
  • B Vcc e Vcc/RC
  • C Vbb/Rb e Vbb
  • D Vcc/Rb e Vbb
  • E Vbb/Rc e Vcc

Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que

  • A trata-se da tensão reversa responsável pelo mecanismo de avalanche nos semicondutores.
  • B trata-se da Tensão Vce Limite na região ativa da Reta de carga de um transistor quando Ic tende a zero.
  • C trata-se do efeito cumulativo de aumento no ganho Bt = B1*B2 associado a configuração Darlington de transistores.
  • D trata-se do efeito resultante da inclinação da curva IB de polarização de um transistor que ao extrapoladas se interceptam em um ponto em comum do eixo negativo de Vce.
  • E trata-se da carga armazenada em ambos os lados da camada de depleção em uma junção semicondutora PN.