Questões de Transistor (Eletroeletrônica)

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Eletroeletrônica Transistor


Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de São Paulo (IF-SP) - Professor EBTT Eletrônica - IF-SP (2024)

O transistor é um dos componentes eletrônicos mais importantes e comumente utilizados em televisores, rádios, chips de computadores, circuitos integrados e dispositivos móveis. As funções principais de um transistor são: amplificação de um sinal de corrente e tensão elétrica, gerando sinais de saída bem maiores em relação àqueles de entrada, e chaveamento, controlando o fluxo de corrente, atuando no circuito como uma chave liga/desliga. Seja o circuito de polarização fixa com o transistor abaixo.


Dado que VCC = 16 V, RB = 765 kΩ, RC = 2,2 kΩ, C1 = C2 = 10 μF e β = 200, determine o valor de VCB.



Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas


Fonte: IFSP, 2024.

  • A VCB = 7,2V
  • B VCB = 6,5V
  • C VCB = - 7,2V
  • D VCB = - 6,5V

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Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Radares de Abertura Sintética - FGV (2024)

A função ambiguidade é uma importante ferramenta para analisar o desempenho de diferentes formas de onda utilizada em radares. É uma transformação bilinear que permite a análise no domínio tempo-frequência de sinais não-estacionários no domínio do tempo. Com relação à função ambiguidade, analise as afirmativas a seguir.

I. A função ambiguidade é uma função linear.
II. O máximo da função ambiguidade sempre ocorre quando a frequência Doppler é nula e na posição real do alvo.
III. A função ambiguidade é par.

Está correto o que se afirma em

  • A I, apenas.
  • B II, apenas.
  • C I e II, apenas.
  • D II e III, apenas.
  • E I e III, apenas.

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Escola de Especialistas de Aeronáutica (EEAR) - Sargento da Aeronáutica - Eletrônica - Aeronáutica (2023)

Qual é a região mais fortemente dopada na estrutura de um transistor de junção bipolar (TJB)?

  • A Alfa.
  • B Base.
  • C Coletor.
  • D Emissor.

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Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia da Paraíba (IF-PB) - Técnico - Eletroeletrônica - IDECAN (2019)

Considere o seguinte arranjo de transistores:
Imagem relacionada à questão do Questões Estratégicas De forma analítica, o ganho total da corrente de coletor Ic em relação a corrente de base Ib é dado po

  • A β1 x β2
  • B β1 + β2
  • C β1 - β2
  • D (β1 x β2) + β1 + β2
  • E (β1 x β2) + β1 - β2

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Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia da Paraíba (IF-PB) - Técnico - Eletroeletrônica - IDECAN (2019)

Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que

  • A trata-se da tensão reversa responsável pelo mecanismo de avalanche nos semicondutores.
  • B trata-se da Tensão Vce Limite na região ativa da Reta de carga de um transistor quando Ic tende a zero.
  • C trata-se do efeito cumulativo de aumento no ganho Bt = B1*B2 associado a configuração Darlington de transistores.
  • D trata-se do efeito resultante da inclinação da curva IB de polarização de um transistor que ao extrapoladas se interceptam em um ponto em comum do eixo negativo de Vce.
  • E trata-se da carga armazenada em ambos os lados da camada de depleção em uma junção semicondutora PN.