Prova do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) - Tecnologista Júnior I - Projeto e Fabricação de Cablagem, Sistemas de Distribuição e Medição de Linhas Elétricas de Alimentação Reguladas - FGV (2024) - Questões Comentadas

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Os semicondutores são a matéria prima dos dispositivos eletrônicos, como diodos, TBJ, MOSFET, entre outros.
Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.

  • A Os semicondutores puros são bons condutores de eletricidade em temperatura ambiente (23oC).
  • B A dopagem de semicondutores com impurezas das famílias 3A ou 5A da tabela periódica reduz a condutividade elétrica.
  • C Um material do tipo p pode ser obtido a partir da inserção de impurezas da família 3A da tabela periódica em um semicondutor puro.
  • D Em semicondutores do tipo n há a prevalência de “buracos” como portadores de carga.
  • E Ao se juntar um material do tipo p com um do tipo n é formada uma região de depleção, na qual o campo elétrico é nulo.

Diodos são importantes componentes eletrônicos amplamente utilizados em diversos tipos de circuitos.
Sobre os diodos, assinale a afirmativa correta.

  • A São formados pela junção de dois materiais diferentes da tabela periódica, um da família 3A e o outro da família 5A.
  • B Apresentam pequenas variações na sua tensão durante grandes variações na corrente conduzida, caso estejam diretamente polarizados.
  • C Podem resistir a elevados níveis de tensão na polarização inversa, caso sejam do tipo Zener.
  • D Podem ter sua queda de tensão reduzida caso sejam ligados em paralelo e estejam diretamente polarizados.
  • E São dispositivos que apresentam comportamento tensão por corrente aproximadamente linear.

Ao projetar um circuito utilizando um amplificador operacional, o engenheiro responsável utilizou um potenciômetro para compensar o efeito da tensão de offset (desequilíbrio) da entrada do amplificador operacional.
Esse ajuste tem por finalidade

  • A compensar o efeito da resistência de saída não nula do amplificador operacional.
  • B reduzir a sensibilidade do amplificador operacional à variação da temperatura.
  • C aumentar a resistência de entrada do amplificador operacional.
  • D amenizar a diminuição do ganho de tensão do amplificador operacional devido à sua largura de banda finita numa faixa de frequência de interesse.
  • E minimizar o erro da tensão de saída devido ao desbalanceamento do estágio diferencial da entrada do amplificador operacional.

Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis, que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações.
Sobre os regimes de operação dos TBJ, assinale a afirmativa correta.

  • A o transistor está no modo ativo quando a junção emissor-base está polarizada diretamente e a junção coletor-base está polarizada inversamente.
  • B no modo corte não há corrente que flui entre o emissor e o coletor, porém pode haver um valor considerável de corrente pela junção emissor-base.
  • C no modo saturação a corrente que flui na junção emissor-coletor é aproximadamente proporcional à corrente que passa pela junção emissor-base.
  • D para realizar a amplificação de sinais, os transistores são geralmente polarizados para operarem no modo de saturação.
  • E quando a junção emissor-base está polarizada inversamente e a junção coletor-base está polarizada diretamente o transistor está no modo saturação.

Ao se deparar com um componente desconhecido, um engenheiro fez as seguintes observações:
• o componente possui 3 três terminais externos, que foram denominados A, B e C;
• com o terminal C desconectado, aplicar uma diferença de potencial (positiva ou negativa) entre os terminais A e B não faz circular corrente pelo componente;
• com o terminal B desconectado, aplicar uma diferença de potencial (positiva ou negativa) entre os terminais A e C não faz circular corrente pelo componente;
• com o terminal A desconectado, aplicar uma diferença de potencial (positiva ou negativa) entre os terminais B e C não faz circular corrente pelo dispositivo;
• enquanto aplicada uma determinada tensão negativa no terminal A, uma pequena diferença de potencial aplicada entre os terminais B e C faz surgir uma corrente entre esses dois terminais.
Com base nessas observações, o componente analisado pelo engenheiro é o

  • A FET.
  • B MOSFET canal n.
  • C MOSFET canal p.
  • D TBJ do tipo PNP.
  • E TBJ do tipo NPN.